［招待論文］2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱

摘要

2層グラフェン上に堆積したY_2O_3絶縁膜に高圧酸素アニールを行い低電界リークを低減した結果，デュアルゲートの2層グラフェンにおいてDisplacementとして既存の固体絶縁膜の中で最も高い～8V／nm（n＝～4×10~(13) cm~(-2)）を達成した．ギャップ内準位のトラップサイトの起源や高エネルギー側のサブバンド散乱等を議論する．