High-K/Metal Gate MOSFETsにおける新しいレイアウト依存性

摘要

我々は、High-k絶縁膜およびMetal Gateを採用したMOSFET（HK／MG MOSFETs）における全く新しいレイアウト依存性を初めて発見した。それは、閾値電圧（V_t）を大きく変調させるものであり、そのメカニズムを調査するために特別に描かれたTest Structureを用いて様々な実験を行い、そのレイアウト依存性を抑えるためのプロセス最適化を行った。多くのプロセス条件においてこの効果を確認していくことにより、FETの性能·歩留まり·信頼性を劣化させることなくこのレイアウト依存性を抑えることに成功した。