赤外波長光源を用いたMgOドーププロトン交換LN光導波路の光損傷測定

摘要

MgOドーププロトン交換LN光導波路は、光損傷（フォトリフラクティブ効果）に比較的強いため、信頼性の大きいデバイス作製が可能であり、光情報処理分野等への期待が高まっている。 これまで光損傷は可視光領域において問題視されていたが、通信波長（1550nm帯 ┯盲喂猊钎啸ぅ工擞盲い椁欷牍庠搐违靴铹`の増大等から、赤外波長領城においても光損傷が問題になりつつある。 我々はMgOドープしたLN結晶上にプロトン交換(PE)層を作製した試料、さらにこれをアニール処理した試料について、赤外波長レーザ(1550nm)を用いて、光損傷特性の実験的研究を行った。