カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討

摘要

カーボンナノチューブ(CNT)の基板面内方向での位置制御を行うための金属触媒構造を提案した。 化学気相堆積法(CVD)による、CNT成長において、触媒金属(Ni)と不活性膜を組み合わせ、触媒金属の電極間にCNTを成長させる成長条件を検討した。 成長温度や材料ガス流量の成長条件の検討をすることによってCNT以外の余分なカーボンの生成が抑制された。 また、一本のCNTの低温から室温における電流-電圧特性の評価を行い、CNT はゃ型の半導体的な振る舞いを観測した。 また、低温領域においては高抵抗化していく傾向が見られた。