1.3 μm帯多波長レーザに向けた構造および作製方法の違いによる SiN導波路の特性分析

摘要

温調制御の必要性と波長間隔の制限を受けてしまう従来のWDMシステムの問題点を克服するために、グリッドフリーな新しいWDMシステムが提案されている。新システムでは波長間隔の等しい多波長レーザが要求されるため、今回、SiN導波路を用いた1.3 μm帯多波長レーザ作製に向け、成膜条件変化によるSiNの屈折率分析と、導波路構造による波長分散および伝搬モードの変化について検討した。屈折率分析では条件を変えることによって1.3 μm帯において0.05程の変化が得られた。波長分散および伝搬モードの計算では、成膜条件による分散シフトを確認し、導波路断面積0.54 μm~2においてゼロ波長分散近傍の値を確認した。