絶縁型 E 級インバータを用いた SiC MOSFET 用駆動回路の解析的現計

摘要

近年，次世代の半導体素子として，SiC が注目されている．SiC デバイスは，高い耐熱性，耐圧性を持つため，高電力でも高性能を保つことができる［1］-［6］．しかし，SiC MOSFET の高周波数下での動作を考えると，その駆動の困難性が問題となる．