Auスタッドバンプを用いた半導体レーザ素子の低温接合

摘要

平滑（表面粗さR_ a : 3. 4nm）な表面を有するAuスタッドバンプを用いて，半導体レーザ素子の低温接合を実現した．半導体レーザ素子のAu薄膜電極とAuスタッドバンプの表面活性化接合を行った（大気中，接合温度：150℃ ).単位面積当りの接合度は，Au薄膜同士の接合に比べ，約2倍の強さが得られた．