高品質SiCウェーハの開発

摘要

SiCは窒化物半導体電子デバイス用基板として有望視されている。 しかし、SiC基板は今なおマイクロパイプなど、解決すべき問題を残している。 そこで我々は、4H-SiC (0001)を［01-10］に54.7度オフさせた4H-SiC(03-38)を用いマイクロパイプフリーの結晶を達成し、また、高性能窒化物デバイスを実現するための半絶縁性6H-SiC基板、4H-SiC ｛1-100｝基板などの高品質SiC基板の開発に成功した。