OFC2018報告－アクティブデバイス関連

摘要

2018年3月11日から15日にかけ米国·サンディェゴで開催されたOFC2018（The Optical Networking and Communication Conference and Exhibition）における光通信用デバイス関連の発表について，光アクティブデバイスを中心に，講演内容の速報と著者の見解について報告する．アクティブデバイス分野では全体で55件の報告があり，Si上に作製される光デバイスの高密度集積に関する報告に加え，単体デバイスの性能を主張する報告が多かったことが特徴的であった．VCSELの高速化や，VCSELの適応領域を数kmまで拡大する伝送特性の報告が複数件みられた．また，変調器に関してはSi変調器はもちろんのこと，ポストデッドラインペーパーにおいて，極めて周波数特性の高いInP変調器および薄膜LN変調器の報告がなされた．受光器については100-Gbit／s PAM4の40km伝送を可能とするInAlAs-APD，および世界最高性能となる，Si／Ge導波路型APDの報告がなされた．