Si（111）-√3×√3-Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長

摘要

Si（111）基板上のGa誘起表面再構成構造（Si（111）-√3×√3-Ga）を介したSi（111）基板上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長について調査した。成長は2段階成長法を用いて行ったが、260℃での1層目の成長中、Sb／Gaフラックス比を慎重に1に制御することにより、双晶のない高品質なGaSb薄膜を成長できることをRHEED及びXRD測定（φscan）の結果から見出した。XRD測定（2θ／ω scan）の結果は、550nmの膜厚の試料において96arcsecの半値幅を示した。