ArFリソグラフィー技術の現状と展望

摘要

LSIの微細化が進む中で次世代技術として期待されるArFリソグラフィー技術についてプロセス技術の立場から現状を紹介するとともに将来を展望する．ArFリソグラフィーは130nm世代から一部で，100nm世代から本格的に用いられると予想される．ArFレジストではアダマンチルをはじめとする脂環族系の材料が用いられ，大別して四つの系があるがいずれも110nm程度の解像性能を有する．現状のArFレジストにはラインエッジラフネスや酸化膜に対するドライエッチング耐性等の問題がある．ドライエッチング耐性はEBキュア技術が一つの解決手段であるが，微細化によりレジストが薄膜化されるため多層レジストプロセスの採用も考えられる．微細化で問篤となるばらつきは130nmパターンに対して露光フィールド内7nm（3σ），ウェーハ内6nm（3σ）であり，KrFリソグラフィーと同程度のばらつきである．ロジックデバイスのゲートでは位相シフト法が有効であり50nmのパターンも形成できる．