Low-kキャップ(k＝3.1)を用いた低コスト·高性能Cu配線(k{sub}(eff)=2.75)技術

摘要

プラズマ共重合技術によりlow-kキャップからハードマスクまで一括成長させたFull Low-k/Cu配線(k{sub}(eff)＝2.75)を実現した．直鎖状シロキサン原料から形成されるsilica-amorphous-carbon-composite (SACC)-SiOCH膜(k＝3.1，E＝20GPa)をキャップ膜に適用し，Cu表面酸化抑制のためのプラズマ処理と組み合わせることでCu拡散バリア性を確保した．従来構造と比較して12％の星屑間容量の低減と，EM寿命(T{sub}0.1)の5倍改善を確認した．プラズマ共重合技術を用いたlow-k一括成膜技術は32nmノード以降の低コスト·高性能LSIを実現するうえで有望な技術である．