IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGe層の表面ラフネス制御

摘要

高移動度チャネルを実現する材料として注目されている歪Si。 この仮想基板となる歪緩和SiGe。 本研究では作製した歪緩和SiGeの歪量、表面平坦性についてイオン源加速電圧、堆積温度、膜厚を変化させて検討した。 今回の実験ではイオン源加速電圧500V、堆積温度500℃という条件で完全歪緩和、表面ラフネス2nm、膜厚約200nmというものが得られた。