動的マルチボディバイアス制御を用いたデジタルメモリのリークエネルギー削減

摘要

オンチップメモリはマイクロプロセッサの主要な構成要素であり、消費エネルギーに大きな影響を与える。本稿では、二アスレッショルド領域で動作するSRAMに代わるデジタルメモリマクロとしてStandard Cell based Memory（SCM）に着目し、ばらつき条件下でデータ保持安定性とリークエネルギー削減を両立した動的マルチボディバイアス制御について提案する。これにより、ばらつきの条件下でポストレイアウトシミュレーションを行なった結果、単一ボディバイアス制御を行う従来手法及びMulti-Vth設計手法と比較して、それぞれ最大で37、48のリークエネルギーを削減できることを示した。