Si基板上(CdF{sub}2/CaF{sub}2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性

摘要

弗化カルシウム(CdF{sub}2)、弗化カドミウム(CdF{sub}2)はシリコン(Si)基板上にエピタキシャル成長可能であり、これを用いた共鳴トンネルダイオード(RTD)やサブバンド間遷移(ISBT)を用いた光デバイスは、高速·高機能な量子効果デバイスを構成する材料系として有望である。 CdF{sub}2/CaF{sub}2ヘテロ界面には～2.9eVの伝導体バンド不連続があるため、従来のサブバンド間遷移レーザでは不可能であった近赤外領域での発光が期待できる。 我々は(CdF{sub}2/CaF{sub}2)を活性層に用いたサブバンド間遷移レーザ（量子カスケードレーザ）を提案し、しきい値電流密度の解析及び作製した(CdF{sub}2/CaF{sub}2)活性層からEL発光を観測した。 本報告では、CdF{sub}2/CaF{sub}2サブバンド間遷移レーザ構造からのEL発光特性について述べる。