フラックス法による2D半導体GaSeの結晶成長およびそのSHG特性評価

摘要

GaSe結晶は有望な層状半導体の一つで、有限なエネルギーギャップ、高い移動度をもつ。また複屈折性をもつ非線形光学結晶であり、THz帯の透過波長範囲が広い。そうした特性から、スピン電界トランジスタや高効率のTHz波の発生·検出などへの応用が期待される。本研究ではTHz波の発生に焦点を当てる。本研究では、成長速度を高速化し、より大きな膜厚を得るために、溶質となるGaとSeを多量に溶解でき、大きな溶質濃度差を付けることが期待できるIn、Sn、Bi、Sbを用いたフラックス法によってGaSe結晶を作製し、その特性評価を行った。