ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価

摘要

10~16～10~20cm~(-3)のドーピング密度を有するn型GaN自立基板に対してラマン散乱分光および赤外反射分光を行った。自由キャリアのプラズマ振動と縦光学格子振動との結合モードを測定し、得られたスペクトルを誘電関数モデルに基づく理論曲線でフィッティングすることにより、キャリア密度と移動度を求めた。求めた結果をホール効果測定による実測値と比較し、その妥当性を検証した。その結果、ラマン散乱分光法はキャリア密度が10~(16)～10~(18)cm~(-3)の範囲で、赤外反射分光法はキャリア密度が10~(18)～10~(20)cm~(-3)の範囲で精度よく評価が行えることが明らかになった。