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Low bias dry etching of tungsten and dielectric layers on GaAs

机译：Low bias dry etching of tungsten and dielectric layers on GaAs

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摘要

Microwave-enhanced SF6/O2discharges with low ion energies (

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  • 来源
    《semiconductor science and technology》 |1993年第10期|1897-1903|共页
  • 作者

    S J Pearton; F Ren; C R Abernathy;

  • 作者单位

    AT&T Bell Labs., Murray Hill, NJ, USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 英语
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2024-01-25 19:32:12
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