表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成

摘要

表面活性化ボンディング（SAB）法を用いて異なるドーピング濃度を有する種々の半導体材料のpn接合、n-on-p InGaP/（100）Si、p-on-n InGaP/（100）Si、p-on-n InGaP/（111）Si2接合太陽電池の作製及び電気特性の評価を行った。高不純物濃度の半導体接合層からなるpn接合の電流電圧特性はオーミック性を示した。界面抵抗値は不純物濃度の増加とともに減少しp~+-GaAs/n~(++)-Si接合において最も低い界面抵抗値0.13Ω·cm~2を得た。その値は太陽電池応用上十分低いと考えられる。2接合太陽電池においては、その開放電圧（V_(oc)）は各サブセルのV_(oc)の和にほぼ等しく、n-on-p InGaP/（100）Si2接合太陽電池において各サブセルの変換効率を上回る変換効率（11.1％）を得た。これらの結果から、SAB法はシリコン基板上に高効率多接合太陽電池の作成に適している。