ウェハ接合によるシリコン上InAs／GaAs量子ドットレーザの作製と高温動作

摘要

シリコン光電子集積回路の実現に向け、量子ドットを用いた高性能オンチップ光源の開発を進めている。今回、ウェハ接合法により作製したSi基板上の1.3μm InAs／GaAs量子ドットレーザにおいて、InAs／GaAs量子ドットコア層にp型ドーピングを施すことにより、100℃以上での発振動作を観測した。特性温度端は室温近傍にて無限大、100℃近傍にて180Kと非常に高い値を得た。また、Si導波路構造上のInAs／GaAs量子ドットレーザの作製および100℃以上での発振動作にも成功した。