SOA集積InP系マッハツェンダー変調器の10.7Gbps-80kmフルC-bandアンクールド動作

摘要

InP半導体を用いたマッハツェンダー（MZ）型変調器のロスを補償するために、半導体増幅器（SOA）を集積したInP系MZ変調器を作製した。さらに、アンクールド動作実現のために、高温においても高利得が得られるSOA構造の設計、及びMZ変調器部のデチューニング量の最適化を行った。素子温度0～85℃、波長1528～1565nmの範囲で、10.7Gbps，80km（1600ps/nm）ファイバー伝送評価を行った結果、0dBm以上の変調時ファイバー光出力、10.5dB以上の変調時消光比、2.0dB以下のパワーペナルティを達成し、SOA集積InP系MZ変調器のフルC-band領域でのアンクールド動作を実現した。