触媒反応支援CVD法によるガラス基板上ZnO膜成長におけるN_2O添加初期層の効果

摘要

触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを酸素源として用いたCVD法によるガラス基板上へのZnO膜成長において、N_2O添加初期層を挿入することでZnO膜の特性改善を試みた。作製したZnO膜は光透過率、Hall効果、X線回折の測定により評価を行った。ZnO（0002）回折のωロッキングカーブの半値幅は適切なN_2O添加初期層を挿入することで減少し、同時に電子移動度の向上も見られた。光吸収係数から得られるバンド端の揺らぎの指標となる経験的パラメータE_0もN_2O添加初期層の挿入により小さくなり、これは結晶粒界に起因するバンド端の揺らぎが抑えられたためと推察された。