SiGe－ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性

摘要

アナログ回路やCMOSの高性能化へ向け、チャネル領域に新材料であるSiGeを用いたSiGeヘテロDTMOSを提案した。 従来のSiと比べると、高い相互コンダクタンス(g{sub}m)値を得ることができ、さらに低周波雑音を低減することができた。 また、低周波雑音の発生源を明らかにし、低周波雑音の低減への手法を見出した。