HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成

摘要

HfN薄膜1nm堆積後に、in－situ Electron Cyclotron Resonance（ECR）Ar／O_2プラズマ照射を60s行い、さらにHigh Vacuum Annealing（HVA）及びPost Deposition Annealing（PDA）を行うことにより形成した、EOT（Equivalent Oxide Thickness）1．41nmのHfO_xN_y薄膜をゲート絶縁膜に用いたMISm汀のデバイス特性を評価した。デバイス作製後に400℃／1minのフォーミングガスアニールを行うことにより、移動度203cm~2／Vsが得られることが分かった。