プローブドーピング法を用いた緑色燐光有機EL素子の発光領域解析

摘要

CBP:Ir（ppy）_3を発光層として用いた低分子系緑色燐光有機EL素子における発光領域に関する知見を得ることを目的とし、プローブドーピング法を利用して、発光諸特性（輝度、発光効率、発光スペクトル）の発光領域依存性を詳細に調べた。また、発光領域の変化が放射エネルギー分布に及ぼす影響を光学計算により求め、実験的に得られた発光特性と比較した。その結果、同素子では発光領域が陰極側端部に近い領域に位置しており、燐光材料を陰極側から15nm以内の領域に添加した素子において、外部量子効率17.3、電力効率391m/Wが得られた。