μシェブロン型レーザビーム走査によるSi／Ge膜の単結晶帯形成とその結晶評価

摘要

これからのフラットパネルディスプレイの高性能化·多機能化·大型化に伴い、高移動度、高均一性、低コストの薄膜トランジスタ（TFT）が求められている。これらを満足するには、単結晶Si／Ge-TFTの実現が有望である。ここでは単結晶Si/Ge帯をガラス基板上に選択形成できるマイクロシェブロンレーザービームアニール法（μCLBA法）について紹介する。