ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長－無極性InNの検討

摘要

我々はECR-MBE法（ECRプラズマ分子線エピタキシー法）を用いて、R面(10-12)サファイア基板に窒化処理を行い、その上にInNの成長を行うことで、A面(11-20)InNを成長できることを見出したので報告する。R面サファイア基板の窒化条件は430℃で10分と15分で行った。 評価方法はReflection high-energy electron diffraction (RHEED)、Scanning electron microscopy (SEM)、X-ray diffraction (XRD)、Transmission Electron Microscopy (TEM)、Photoluminescence (PL)を用いた。 窒化時間10分のサンプルをRHEEDとXRDで評価した結果、A面InNが得られたが、立方晶InNの混在もあることがわかった。 しかし、窒化時間を15分と長くすることにより立方晶InNの混在を抑制することができた。