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机译:n{sup}+ GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性
重川直輝; 西村一巳; 横山春喜宝川幸司Naoteru SHIGEKAWAKazumi NISHIMURAHaruki YOKOYAMAKohji HOHKAWA;
表面弾性波; ICPエッチング; 水素センサ; GaN; Surface acoustic wave; SAW; ICP etching; Hydrogen sensor;
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