Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション

摘要

本稿ではGe CMOSに向けたチャネル界面のパッシベーションについて系統的に調査した結果を報告する．近年良好な特性がGeO_2／Ge界面で報告されているが，酸素及び希土類元素により界面準位密度の更なる低減がみられた．またMOSFETにおいて，電子で1920cm~2/Vs，正孔で725cm~2／Vsの非常に高い実効移動度が得られた．一方Ge表面をSiで終端した場合，価電子帯側で良好な特性が得られることに対し伝導帯側は大幅に劣化した．GeにはGeに適した固有の界面パッシベーション法が存在し，更なる改善によりSiテクノロジーの限界を超えるGe CMOSの実現も可能であると考えられる．