β-Ga_2O_3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析

摘要

ゲート長200nmのβ-Ga_2O_3金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）において，電流利得遮断周波数9GHz，最大発振周波数27GHzという優れたRF小信号特性を達成した．このMOSFETの簡単な遅延時間解析から，実効電子速度は約2×10~6 cm/sと見積もられた．さらに,Ga_2O_3チャネルの比較的低い電子移動度のためにシート抵抗が大きいことから，電荷充電遅延が全遅延時間の大きな割合を占めていることが分かった．このため，Ga_2O_3 MOSFETの高周波性能を向上のためには，アクセス抵抗の大幅な低減が不可欠である．