完全空乏したAlGaN/GaNエピタキシャル層を用いたプレーナ型EID-MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証

摘要

AlGaN/GaN-HEMT（High-Electron-Mobility-Transistor）は，高周波デバイスとして適用が進んでいるだけではなく，高出力スイッチングデバイスへの適用も期待されている．スイッチングデバイスとして用いる場合には，ノーマリオフ動作と高い信頼性が求められるが，これまでに提案された構造では，半導体層をドライエッチングするプロセスが必要であり，そのダメージによる特性劣化が懸念される．今回，我々は半導体層をドライエッチングするプロセスを一切使わずに作製できるプレーナ型の構造を提案し，その構造のHEMTを試作した結果，オン抵抗と耐圧がそれぞれ7.6mΩcm~2, 500Vのノーマリオフ動作を実証した．