КОНЦЕНТРАЦИОННЫЙ ПРОФИЛЬ ПРИМЕСЕЙ ГАЛЛИЯ И СУРЬМЫ В КРИСТАЛЛАХ Ge_(1-x)-Si_xGa И Ge_(1-x)-Si_xSb, ВЫРАЩЕННЫХ ГИБРИДНЫМ МЕТОДОМ

摘要

Гибридным методом получены легированные кристаллы твердых растворов Ge_(1-x)-Si_x и Ge_(1-x)-Si_x. При комнатных температурах в образцах проведены измерения Холла, по которым экспериментально определены распределения примесей галлия и сурьмы вдоль полученных кристаллов Ge_(1-x)-Si_x и Ge_(1-x)-Si_x соответственно. Параллельно в пфан-новском приближении решена одномерная задача по аксиальному распределению примесей галлия и сурьмы в кристаллах твердых растворов Ge-Si, выращенных гибридным методом. Полученные результаты демонстрируют хорошее согласие экспериментальных и расчетных данных. Этот факт позволяет сделать заключение, что математическое моделирование дает возможность управления в широких пределах концентрационным профилем примесей в кристаллах Ge—Si, выращенных данным методом путем изменения стартовых концентраций примесей и задания соответствующего градиента температуры в расплаве на участке роста кристалла методом направленного концентрационного переохлаждения расплава и отношения скоростей подпитки и кристаллизации расплава на участке роста однородного кристалла.