Ka帯用高耐湿·高出力TbN/AuゲートpHEMT

摘要

ミリ波帯ⅠⅠ臥の低コスト化に有効な非気密パッケージを実現するためには、チップの高耐湿化が必須である。 今回我々はミリ波帯pHEMT構造の高耐湿化を検討した。 高出力FETのゲートバリア金属として使用されるWSi及びWSiNは耐湿性が低く、また低誘電率膜等の厚膜積層はゲート容量の増大をもたらす。 これらを解決するため、今回我々は耐腐食性に優れるThを使用したThN／Auゲート構造、および防湿性に優れたCat－CVD法積層SiNx表面保護膜を適用したトランジスタを開発し、構造変更による特性劣化なく高湿保存1000時間後のId低下率が10％以下という高い耐湿性を確認した0開発トランジスタの鮎帯パワー特性を評価した結果、Psat=0.8W/mm, Glp=8.5dB, PAE=40(Vd=8V)と非常に良好な性能を確認できた。