［招待講演］サブ30nmピッチCuダマシン配線のためのRu選択成長メタル·キャッピングとウェハ表面状態の制御

摘要

ロジック·デバイス技術の3nmノード以降、BEOL配線ピッチが30nm未満になることが想定されている。先端ロジック·プロセスのBEOL配線では、Cuを導電材料としてダマシン配線と呼ばれるプロセス手法が適用されている。Cuダマシン配線では、配線ピッチが30nm未満になると新たな技術の導入により、Cu埋設性の向上、配線·ビア抵抗の抑制、エレクトロマイグレーション（EM）耐性の向上が必要と考えられている。本研究ではEM耐性向上の対策としてメタル·キャッピング技術に着目し、CVD技術を用いてルテニウム（Ru）をCu配線上に選択的に成膜し、ウェハ表面状態がRuキャップ膜に与える影響を評価した。