酸化物を用いた抵抗変化素子のフォーミング特性の評価

摘要

抵抗変化型メモリは，次世代不揮発性メモリの一つとして，多くの利点がある．しかし，最適な材料の組み合わせや抵抗変化の動作原理は完全には解明されていない．金属電極と抵抗変化材料の組み合わせは数多く報告されているが，動作の鍵を握る導電性フィラメントの起源は明らかにされていない．本研究では，今後求められる書き込み速度や書き込み回数を有した素子の研究を目的とし，二層の酸化タンタルと三種の金属電極を用いた抵抗変化素子における急激な低抵抗化（フォーミング）特性に対する電極材料の効果に着目し，初期電圧印加時のフォーミングで生じる導電性フィラメントの起源に迫る．