InGaN量子井戸におけるPLスぺクトル温度変化の理論モデル解析

摘要

InGaN量子井戸は、In組成を変化させることで可視光全域の光を出すことができるが、緑色より長波長側では効率が落ちてしまうという問題点がある。これを解決するためには電子状態やキャリアダイナミクスの理解が重要となる。そこで本研究では、In組成が系統的に異なる試料シリーズのPLスぺクトルの温度変化を一つのモデルで説明しようと試みた。In組成揺らぎによるバンドギャップの揺らぎとキャリアの局在を考慮した理論モデルを構築し、実験結果をフィッティングした。その結果全温度領域でPLスぺクトルをフィッティングすることができ、パラメータの値も妥当な値となった。