AlNテンプレート上歪み緩和AlGaN成長のためのAlN/GaN超格子層導入

摘要

アニール処理スパッタ成膜A1Nテンプレートは，高い結晶性を有するため，AlGaN系深紫外発光デバイスの下地基板として期待できる．しかし，このテンプレートは強い圧縮歪みを有しており，この上に成長したn-AlGaN層は圧縮歪みを引き継ぎ成長する．本研究では，歪み緩和したn-AlGaN層を成長させるために，AlN/GaN超格子構造を導入し，また，超格子構造の成長時にH_2＋N_2混合キャリアガスを用いることで，歪み緩和した表面の平坦なn-AlGaN層を成長させた．