抵抗変化型メモリのためのZr/ZrO_x/Pt構造の電気的特性評価

摘要

抵抗変化型メモリは、次世代の不揮発性メモリとして注目されている。しかしながら、フォーミングに高電圧が必要なことやフォーミングによって動作電流が増大し、消費電力の増加が見込まれるなどの課題が存在する。本研究では、膜厚の異なるZrO_x膜を用いてZr/ZrO_x/Pt構造を作製し、そのI-V特性を評価した。その結果Zr/ZrO_x/Pt構造で10nmのZrO_x膜を用いた場合にフォーミング動作が必要なく、抵抗変化型メモリの動作をする素子が得られた。またこのZr/ZrO_x/Pt構造は、低電圧（<5V）、低電流（<100nA）で動作することが明らかとなった。