磁気トンネル接合（MTJ: Magnetic Tunnel Junction）素子を利用した不揮発性メモリ（NVM: Non Volatile Memory）は、細粒度電源遮断が可能であるため、近年問題となっているリーク電流の増大を防ぐことができる。しかし、MTJにはストアエネルギーが大きいという問題がある。そのため、本研究では、データのビット列を分割し、正確なストアを必要としない部分でのストア時間を短縮するApproximate Storingを適用することで、低消費エネルギーを実現するNVSRAMを提案する。65nmプロセスを想定し、回路設計を行い、画像データ保存時におけるエネルギー削減量について、回路シミュレーション評価を行って有効性を明らかにした。
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