新規レジスト材料の動向について

摘要

フォトリソグラフィ技術は，極端紫外線(EUV)露光を用いて解像度10nm台の量産技術の確立に向けて検討中である。その中で，EUV用レジスト材料の開発が最重要課題として考えられるようになった。本稿では，解像度，露光感度，パタンのラフネスのレジスト特性を同時に改善するために検討された例について紹介する。