ПРЯМОЕ НАБЛЮДЕНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА НА КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОВЕРХНОСТИ, ИНИЦИИРУЕМЫХ ЗАХВАТОМ ПРИМЕСИ

摘要

В экспериментах по росту молекулярных кристаллов диоксидина в присутствии микрозерен турмалина в качестве механической примеси с помощью атомно-сило-вой микроскопии был зарегистрирован инициированный примесью процесс формирования винтовой дислокации. Для теоретического объяснения процесса предложен трехстадийный механизм, который заключается: (1) в релаксации напряжений вокруг примесной частицы путем формирования одной или нескольких дислокаций еше до ее герметизации на первой стадии, (2) присоединения к ним краевых дислокаций в момент закрывания ростовым слоем на второй стадии и (3) появлении результирующей дислокации после полного зарастания частицы на третьей стадии. Также впервые в наномасштабе зарегистрирован процесс прорастания винтовой дислокации сквозь накрывающий ее кристаллический макрослой.