産総研など、SiCウェハー研磨12

摘要

倍速パワー半導体の生産性向上 産業技術総合研究所先進パヮーエレクトロニクス研究センターゥェハプロセスチームの加藤智久研究チーム長らは、ミズホ（大阪市西区）と不二越機械工業(長野巿） と共同で、炭化ケィ素(SiC)ゥェ ハーを高速研磨する技術を開発し た。鏡面化工程で従来法の12倍の研磨速度が得られた。パワー半導体などの生産性向上につながる。