データセンター向け広動作温度範囲CWDM 100Gbps EML

摘要

スマートフォン，タブレットなどの普及や情報のクラウド化によるデータ通信量の急速な増加に伴い，データセンターのネットワーク通信速度の高速化（400Gbps）と大容量化が進んでいる。一方で，データセンター内に設置される通信機器などの消費電力の増加が大きな課題になっている。この課題解決のためには，温度調整が不要で広い温度範囲で動作するEML（Electro-absorption Modulated Laser）を用いることが有効で，一部のデータセンターではチップ温度（T_(LD)）5～85℃での動作が必要とされている。400Gbpsの光通信には，1波長当たり100Gbpsで動作するCWDM（Coarse Wavelength Division Multiplexing）4波長のEMLチップを用いて，波長多重方式で400Gbpsのデータ通信を実現する方式がMSA（Multi Source Agreement）で制定されている。今回，広動作温度範囲CWDM100GbpsEMLチップを開発し，1波長当たり100Gbpsの高速動作と広動作温度範囲の両立のため，三菱電機独自のハイブリッド導波路構造を採用し，レーザ部（LD），EA（Electro-Absorption）変調器部の設計パラメータを最適化することで，チップ温度5～85℃の広い動作温度範囲で目標仕様を満足する良好な特性を得た。これによって，データセンター内のシステム構成部品である光トランシーバ内に従来必要であったEMLの温度調整用のTEC（ThermoElectric Cooler）が不要になり，データセンターの消費電力とコストを低減できる。