スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上

摘要

六方晶窒化ホウ素（h-BN）は，二次元層状物質で，歪み緩和層や剥離層としての機能が期待されている．従来，h-BNは有機金属気相成長法（MOVPE）や分子線エピタキシー法（MBE）などの結晶成長法を用いて作製されてきた．本研究室では，サファイア基板上にスパッタリング法を用いて堆積させた窒化アルミニウム（AlN）にface-to-face高温アニール（FFA）処理を行うことで，高い結晶性を達成している．本研究では，サファイア基板上にスパッタリング法を用いて堆積させたBNにFFA処理を行うことで，h-BNの結晶性向上を目指した．1700℃，3.0時間のFFA処理を行うことで，h-BNの結晶性は向上し，Raman散乱分光測定の半値全幅で17cm~(-1)を得た．