プルロニック系界面活性剤の添加によるフオ卜レジス卜の吸着抑制機構炭酸アルキレンの組成依存性

摘要

プルロニック系界面活性剤（F-68)およびフォトレジスト粒子の酸化インジウムスズ（ITO)基板に対する吸脱着性を，エネルギー散逸測定機能を付与した水晶振動子マイクロバランス（QCM-D)および原子間力顕微鏡（AFM)の各測定により評価した。また，フォトレジスト粒子の分散性は動的光散乱(DLS)測定により評価した。炭酸エチレン（EC)および炭酸プロピレン（PC)の混合比率を変化させて，これらの性質を検証した。QCM-D測定の結果から，EC/PC = 5/5(質量比）でフォトレジストの残存質量がきわめて少なくなることがわかった。AFMのフォースカーブおよびDLS測定によって，ITO基板およびフォトレジスト粒子の表面に吸着したF-68は，ECの比率が高くなるほど，溶液側に伸長しやすくなることが示唆された。また，DLS測定の結果より，F-68無添加時のフォトレジスト粒子は，PCの比率が高くなるほど，分散しやすくなることも示唆された。以上の結果より，ECはF-68による立体斥力を誘引する一方，PCはフォトレジスト粒子の分散性を高めることで，それぞれがフォトレジスト粒子の吸着抑制に寄与していると考えられる。