III族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定

摘要

InGaNはInNとGaNの混晶であり，In組成を変化させることで理論上では可視光のあらゆる波長領域で発光可能な半導体材料である．その一方で，InNとGaNが強い非混和性を示すことからInGaN量子井戸は混晶組成揺らぎが大きく，状態密度が裾引き状態になることで知られる．光学利得特性はこれらの影響を強く受けるため，InGaN量子井戸レーザの正確な性能評価には導波路損失の測定が必要となる．そこで本研究では，InGaN量子井戸レーザの導波路損失を測定し，組成揺らぎが小さいと考えられるInGaP量子井戸レーザでの測定結果と比較した．その結果，InGaN量子井戸レーザはInGaP量子井戸レーザよりもストークスシフトが大きく，導波路損失が低エネルギー側に裾を引いており，InGaN量子井戸レーザの導波路損失が大きいことを示す結果が得られた．