周期的スロット構造を用いたInGaN量子井戸波長可変単一モードレーザの初期評価

摘要

GaNやAlNなどの窒化物半導体は高い光学非線形性を有することから，高効率非線形光学デバイスへの応用が期待されている．励起光源として400nm帯InGaN量子井戸単一モードレーザを用いれば，200nm帯深紫外光発生や800nm帯スクイーズド光発生が可能となる．一般に高効率波長変換デバイスの波長許容幅は非常に狭く，励起光源には波長可変特性が必須となる．近年，比較的長い周期構造を有する400nm帯単一モードレーザの報告がいくつか出てきたものの，波長可変レーザの報告は皆無である．本研究では，複数の溝を周期的に設けたスロット構造を有する新規InGaN単一モードレーザの設計·作製を行い，周期的スロット構造領域に電流注入を行うことで波長可変単一モード発振を実現したので報告する．