SiO_2膜上に成膜された薄いTaWN合金膜上のCu(111)優先配向

摘要

Si-LSIのCu配線の微細化がさらに加速し、エレクトロマイグレーション耐性に優れたCu(111)面を優先配向させることが望まれている。しかしながら、Cuの拡散を抑制する薄い拡散バリヤとCu(111)面を優先配向させる下地材料の機能を同時に満足する材料がなく、我々のグループがTaWN合金膜を用いて、2つの機能を有する優れた材料であることを初めて報告した。そこで本研究では、SiO_2膜上に成膜されたTaWN合金膜上にCu(111)を優先的に成長させることができるか検討した。その結果、拡散バリヤの機能とCu(111)を優先的に配向成長させる下地材料の機能を同時に実現できることが明らかとなった。