Особенности определения оптических параметров (n и к) полупроводниковой гетероструктуры из спектров пропускания и отражения

摘要

Спектры показателя преломления n и коэффициента экстинкции κ тонкой пленки, образуемой гетероструктурой в виде сверхрешетки In_(0,2)Ga_(0,8)As/GaAs, определяются из сравнения измеренных коэффициентов отражения и пропускания образца, выращенного на подложке GaAs, с соответствующими характеристиками, рассчитанными матричным методом. Значения n и κ сверхрешетки находятся из процедуры минимизации по параметрам n и κ целевой функции F(n, κ), образованной суммой модулей разностей измеренных и рассчитанных коэффициентов отражения и пропускания.