ディスクリートSiC-MOSFETの高精度回路シミュレーション技術

摘要

ディスクリートSiC（シリコンカーバイド）-MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）素子の高精度回路シミュレーション技術として，素子の電気的な動作を回路シミュレータ（SPICE）で再現する回路モデルを開発した。このモデルでは，スイッチング波形の解析精度を向上させるため，MOSFET内部の寄生容量に着目した。この寄生容量は極めて小容量（ピコファラッド）であるが，外部電圧によって容量値が変化する特性を持つため，当社独自の実験手法によって，この特性を詳細に評価し，その等価回路をSPICEモデルへ導入した。